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關(guān)鍵詞：  Optotherm IS640 SENTRIS，Thermal Emission Microscope system

1. 它的應(yīng)非常廣泛，去封裝的芯片，未去封裝的芯片，容，F(xiàn)PC,甚小尺寸的路板（PCB、PCBA）,這也就讓你可以在樣品的不同階段都可以使thermal術(shù)進(jìn)，如下圖示例，樣品路板漏定位到某QFN封裝器件漏，將該器件拆下后現(xiàn)漏善，該器件焊引線來，未封定位為某引腳，封后針再做，進(jìn)一步確認(rèn)為晶圓某引線位置漏導(dǎo)致，如有需要可接著做SEM,FIB等。

未封器件

封器件

2. 它能測(cè)的半導(dǎo)體缺陷也非常廣泛，微安級(jí)漏，低阻抗短路，ES擊傷，閂效應(yīng)點(diǎn)，屬層部短路等等，而容的漏和短路點(diǎn)定位，F(xiàn)PC,PCB,PCBA的漏，微短路等也能夠jq定位

lock-in相

封芯片漏

GAN-SIC器件

3，它是無損：為日常的失效，往往樣品量稀少，這就要求失效術(shù){zh0}是無損的，而于某些例如陶瓷容和FPC的缺陷，雖然測(cè)能測(cè)存在缺陷，但是具體缺陷位置，市的無損如XRAY或超聲波，卻很難進(jìn)定位，只能通過樣品進(jìn)破壞性切片，且只能隨機(jī)挑選位置，而通過Thermal 術(shù)，你需要的只是給樣品，就可以述兩種缺陷進(jìn)定位

FPC缺陷

容缺陷

4,相熱成像（LOCK IN THERMOGRAPHY）：相術(shù)，將溫度分辨率高到0.001℃，5um分辨率鏡頭，可以測(cè)uA級(jí)漏流和微短路缺陷，遠(yuǎn)由于傳統(tǒng)熱成像及液晶熱點(diǎn)測(cè)法（0.1℃分辨率，mA級(jí)漏流熱點(diǎn)）

5，系統(tǒng)能夠測(cè)量芯片等微觀器件的溫度分布，了一種速測(cè)熱點(diǎn)和熱梯度的有效手段，熱分布不僅能顯示缺陷的位置，在半導(dǎo)體領(lǐng)域

在集成路操期間，內(nèi)部結(jié)加熱導(dǎo)致接處的熱量集中。器件中的峰值溫度處于接處本身，并且熱從接部向外傳導(dǎo)到封裝中。因此，器件操期間的jq結(jié)溫測(cè)量是熱表征的組成部分。

芯片附著缺陷可能是由于諸如不充分或污染的芯片附著材料，分層或空隙等原因引起的。Sentris熱工具（如 圖像序列）可于評(píng)估樣品由內(nèi)到外的熱量傳遞過程，以便確定管芯接的完整性。

OPTOTHERM Sentris 熱射顯微鏡系統(tǒng)為一臺(tái)專為缺陷定位的系統(tǒng)，專為子產(chǎn)品FA設(shè)計(jì)，通過特別的LOCK-IN術(shù)，使LWIR鏡頭，仍能將將溫度分辨率升到0.001℃（1mK），同時(shí)光學(xué)分辨率{zg}達(dá)到5um,尤其其系統(tǒng)經(jīng)過多年的優(yōu)化，具有非常易和實(shí)，以下是OPTOTHERM Sentris 熱射顯微鏡系統(tǒng)過程的說明視頻

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國(guó)外的顯微熱成像系統(tǒng)大都于冷型焦平面測(cè)器，其價(jià)格昂貴、體積大、重量大，從而影響了其在國(guó)內(nèi)應(yīng)的普及。非冷焦平面測(cè)器具有較高的性能價(jià)格比、無需冷等諸多優(yōu)點(diǎn)，因此我國(guó)近年來始相繼展非冷型顯微熱成像系統(tǒng)的研究。但由于非冷測(cè)器陣列數(shù)目有限及測(cè)元尺寸的限，空間采樣頻率無法滿采樣定理，圖像空間分辨力低，混頻現(xiàn)象比較嚴(yán)重，而顯微熱成像系統(tǒng)屬于放大模式，很多時(shí)候被觀測(cè)的象較小，細(xì)節(jié)多，因此急需高系統(tǒng)的空間分辨力以滿細(xì)微熱領(lǐng)域的需求。而微掃描術(shù)可在不增加測(cè)器像素規(guī)模和減小測(cè)元尺寸條件下，增加成像系統(tǒng)的空間采樣頻率，減少圖像的頻率混淆效應(yīng)，減小測(cè)器元空間積分的影響，最終可以有效高光成像系統(tǒng)的分辨力，且系統(tǒng)成本較低，xjb高[四-2]。因此，研究將微掃描術(shù)引入到顯微熱成像系統(tǒng)中以高系統(tǒng)空間分辨力具有重要意義和實(shí)價(jià)值。然而目前關(guān)于顯微熱成像系統(tǒng)的理論研究甚少，而光學(xué)微掃描術(shù)應(yīng)到顯微熱成像系統(tǒng)中的報(bào)道更是寥寥無幾。因此今后需大力展于微掃描的非冷顯微熱成像的研究，主要研究問題如下：
（1）以往熱成像系統(tǒng)的性能參數(shù)一般是衡量望遠(yuǎn)模式熱成像系統(tǒng)的，不再適于顯微熱成像系統(tǒng)。因此需要針顯微熱成像系統(tǒng)建立這些參數(shù)的數(shù)學(xué)模型，給高系統(tǒng)性能的具體方，為系統(tǒng)優(yōu)化設(shè)計(jì)理論礎(chǔ)。而國(guó)內(nèi)外關(guān)于顯微熱成像系統(tǒng)理論的報(bào)道甚少，尤其是系統(tǒng)性能參數(shù)的理論體系尚未建立。
（2）微掃描系統(tǒng)的微位移精度是微掃描系統(tǒng)重要的性能指標(biāo)，也是影響整個(gè)顯微熱成像系統(tǒng)性能的重要因素，但微位移誤差的數(shù)學(xué)模型尚未建立，而這是系統(tǒng)進(jìn)優(yōu)化設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。
（3）系統(tǒng)優(yōu)化設(shè)計(jì)后，仍不可避免的存在誤差，這就需要于微掃描原理，進(jìn)一步研究計(jì)算量小、實(shí)時(shí)性好的高分辨力過采樣及超分辨力圖像處理算法。
（4）進(jìn)一步完善光學(xué)微掃描高分辨力顯微熱成像系統(tǒng)，集成系統(tǒng)的各個(gè)部分，并嘗試將該系統(tǒng)造以滿不同領(lǐng)域的需求，加強(qiáng)成果的產(chǎn)品化工。
而這些問題不僅是顯微熱成像系統(tǒng)更是其他光學(xué)微掃描高分辨力光成像系統(tǒng)所涉及的深層次問題和普遍性問題，需要亟待解決。
隨著科學(xué)術(shù)的展，高精度的紅外顯微熱成像系統(tǒng)在微區(qū)域熱物理和化學(xué)問題討、微物測(cè)、MEMS優(yōu)化設(shè)計(jì)等礎(chǔ)學(xué)科領(lǐng)域也將起到非常重要的推進(jìn)，越來越多的領(lǐng)域需要顯微