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相熱成像術(shù)參數(shù)_Optotherm IS640相熱成像-立特為智能話：15219504346 （溫先）

關(guān)鍵詞：  Optotherm IS640 SENTRIS，Thermal Emission Microscope system

1. 它的應(yīng)非常廣泛，去封裝的芯片，未去封裝的芯片，容，F(xiàn)PC,甚小尺寸的路板（PCB、PCBA）,這也就讓你可以在樣品的不同階段都可以使thermal術(shù)進(jìn)，如下圖示例，樣品路板漏定位到某QFN封裝器件漏，將該器件拆下后現(xiàn)漏善，該器件焊引線來，未封定位為某引腳，封后針再做，進(jìn)一步確認(rèn)為晶圓某引線位置漏導(dǎo)致，如有需要可接著做SEM,FIB等。

未封器件

封器件

2. 它能測的半導(dǎo)體缺陷也非常廣泛，微安級漏，低阻抗短路，ES擊傷，閂效應(yīng)點(diǎn)，屬層部短路等等，而容的漏和短路點(diǎn)定位，F(xiàn)PC,PCB,PCBA的漏，微短路等也能夠jq定位

lock-in相

封芯片漏

GAN-SIC器件

3，它是無損：為日常的失效，往往樣品量稀少，這就要求失效術(shù){zh0}是無損的，而于某些例如陶瓷容和FPC的缺陷，雖然測能測存在缺陷，但是具體缺陷位置，市的無損如XRAY或超聲波，卻很難進(jìn)定位，只能通過樣品進(jìn)破壞性切片，且只能隨機(jī)挑選位置，而通過Thermal 術(shù)，你需要的只是給樣品，就可以述兩種缺陷進(jìn)定位

FPC缺陷

容缺陷

4,相熱成像（LOCK IN THERMOGRAPHY）：相術(shù)，將溫度分辨率高到0.001℃，5um分辨率鏡頭，可以測uA級漏流和微短路缺陷，遠(yuǎn)由于傳統(tǒng)熱成像及液晶熱點(diǎn)測法（0.1℃分辨率，mA級漏流熱點(diǎn)）

5，系統(tǒng)能夠測量芯片等微觀器件的溫度分布，了一種速測熱點(diǎn)和熱梯度的有效手段，熱分布不僅能顯示缺陷的位置，在半導(dǎo)體領(lǐng)域

在集成路操期間，內(nèi)部結(jié)加熱導(dǎo)致接處的熱量集中。器件中的峰值溫度處于接處本身，并且熱從接部向外傳導(dǎo)到封裝中。因此，器件操期間的jq結(jié)溫測量是熱表征的組成部分。

芯片附著缺陷可能是由于諸如不充分或污染的芯片附著材料，分層或空隙等原因引起的。Sentris熱工具（如 圖像序列）可于評估樣品由內(nèi)到外的熱量傳遞過程，以便確定管芯接的完整性。

OPTOTHERM Sentris 熱射顯微鏡系統(tǒng)為一臺專為缺陷定位的系統(tǒng)，專為子產(chǎn)品FA設(shè)計(jì)，通過特別的LOCK-IN術(shù)，使LWIR鏡頭，仍能將將溫度分辨率升到0.001℃（1mK），同時光學(xué)分辨率{zg}達(dá)到5um,尤其其系統(tǒng)經(jīng)過多年的優(yōu)化，具有非常易和實(shí)，以下是OPTOTHERM Sentris 熱射顯微鏡系統(tǒng)過程的說明視頻

LEADERWE (‘Leaderwe intelligent international limited ‘a(chǎn)nd ‘ShenZhen Leaderwe Intelligent Co.,Ltd‘)為Optotherm公司中國表（獨(dú)理），在深圳設(shè)立optotherm紅外熱應(yīng)實(shí)驗(yàn)室，負(fù)責(zé)該設(shè)備的演示和售，如有相關(guān)應(yīng)，可免費(fèi)評估測試。

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紅外熱成像顯微鏡

隨著子器件的不斷縮小，熱器和熱耗散變得越來越重要。微型熱顯微鏡可以測量并顯示溫度分布的半導(dǎo)體器件的表面，使熱點(diǎn)和熱梯度可顯示缺損位置，通常導(dǎo)致效率下降和早期故障的速檢測。

產(chǎn)品特點(diǎn)

檢測芯片的熱點(diǎn)和缺陷

子元件和路板故障斷

測量結(jié)溫

甄別芯片鍵缺陷

測量熱阻封裝
 
應(yīng)

激光二極管性能和失效

20微/像素固定焦距

50度廣角聚焦鏡頭

320*240非冷測器

30幀/秒拍攝和顯示速度

0—300攝氏度測量范圍

室溫測量

便于使——1分鐘安裝測量待命

紅外熱成像配

了一廣泛的工具

幫助客戶非常容易而速獲取溫度息。

實(shí)時的帶狀圖、拍攝及回放序列

不同視角和建設(shè)性的數(shù)據(jù)手段

熱點(diǎn)及缺陷鏈接方法

infrasight MI的紅外攝像機(jī)的靈敏度高結(jié)先進(jìn)的降噪和圖像增強(qiáng)算法檢測和定位的熱點(diǎn)在半導(dǎo)體器件消耗小于1毫瓦的功率和升高溫度，表現(xiàn)只有0.05攝氏度。短時間試驗(yàn)中，設(shè)備通常是的5到10秒。I/O模塊使{zd0}功耗是與測試同步。測試平均阻低于一歐姆短路檢測。因?yàn)榈妥瓒搪废В挥猩倭康暮蜔?，一系列的測試可以一起平均高測試靈敏度。動停止功能I/O模塊繼器動切斷源，設(shè)備/板為一個預(yù)先定義的閾值以的短溫度升高。

這種安全功能可以幫助防止設(shè)備/板損壞，同時定位時間。微量可于測量功能的器件結(jié)溫。為了準(zhǔn)確測量結(jié)溫，一個模具的表面射率的地圖必須首先被創(chuàng)建。該裝置是安裝在溫階段控在均勻的溫度。然后計(jì)算thermalyze的表面，適于熱圖像糾正射率的變化在死像素的射率的地圖像素。測量結(jié)溫，設(shè)備，{zg}溫度區(qū)域內(nèi)圍交界處測量。