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1. 它的應非常廣泛,去封裝的芯片,未去封裝的芯片,容,F(xiàn)PC,甚小尺寸的路板(PCB、PCBA),這也就讓你可以在樣品的不同階段都可以使thermal術(shù)進,如下圖示例,樣品路板漏定位到某QFN封裝器件漏,將該器件拆下后現(xiàn)漏善,該器件焊引線來,未封定位為某引腳,封后針再做,進一步確認為晶圓某引線位置漏導致,如有需要可接著做SEM,FIB等。
未封器件
封器件
2. 它能測的半導體缺陷也非常廣泛,微安級漏,低阻抗短路,ES擊傷,閂效應點,屬層部短路等等,而容的漏和短路點定位,F(xiàn)PC,PCB,PCBA的漏,微短路等也能夠jq定位
lock-in相
封芯片漏
GAN-SIC器件
3,它是無損:為日常的失效,往往樣品量稀少,這就要求失效術(shù){zh0}是無損的,而于某些例如陶瓷容和FPC的缺陷,雖然測能測存在缺陷,但是具體缺陷位置,市的無損如XRAY或超聲波,卻很難進定位,只能通過樣品進破壞性切片,且只能隨機挑選位置,而通過Thermal 術(shù),你需要的只是給樣品,就可以述兩種缺陷進定位
FPC缺陷
容缺陷
4,相熱成像(LOCK IN THERMOGRAPHY):相術(shù),將溫度分辨率高到0.001℃,5um分辨率鏡頭,可以測uA級漏流和微短路缺陷,遠由于傳統(tǒng)熱成像及液晶熱點測法(0.1℃分辨率,mA級漏流熱點)
5,系統(tǒng)能夠測量芯片等微觀器件的溫度分布,了一種速測熱點和熱梯度的有效手段,熱分布不僅能顯示缺陷的位置,在半導體領(lǐng)域
在集成路操期間,內(nèi)部結(jié)加熱導致接處的熱量集中。器件中的峰值溫度處于接處本身,并且熱從接部向外傳導到封裝中。因此,器件操期間的jq結(jié)溫測量是熱表征的組成部分。
芯片附著缺陷可能是由于諸如不充分或污染的芯片附著材料,分層或空隙等原因引起的。Sentris熱工具(如 圖像序列)可于評估樣品由內(nèi)到外的熱量傳遞過程,以便確定管芯接的完整性。
OPTOTHERM Sentris 熱射顯微鏡系統(tǒng)為一臺專為缺陷定位的系統(tǒng),專為子產(chǎn)品FA設(shè)計,通過特別的LOCK-IN術(shù),使LWIR鏡頭,仍能將將溫度分辨率升到0.001℃(1mK),同時光學分辨率{zg}達到5um,尤其其系統(tǒng)經(jīng)過多年的優(yōu)化,具有非常易和實,以下是OPTOTHERM Sentris 熱射顯微鏡系統(tǒng)過程的說明視頻
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紅外熱成像儀的構(gòu)成
紅外熱像儀的構(gòu)成5大部分:
1、紅外鏡頭: 接收和匯聚被測物體射的紅外輻射;
2、紅外測器組件: 將熱輻射型號變成號;
3、子組件: 號進處理;
4、顯示組件: 將號轉(zhuǎn)變成可見光圖像;
5、: 處理采集到的溫度數(shù)據(jù),轉(zhuǎn)換成溫度讀數(shù)和圖像。
紅外熱成像儀的分類
紅外熱像儀照工溫度分為冷型和非冷性
冷式熱成像儀:其測器中集成了一個低溫冷器,這種裝置可以給測器降溫度,這樣是為了使熱噪聲的號低于成像號,成像質(zhì)量更好。
非冷式熱成像儀:其測器不需要低溫冷,采的測器通常是以微測輻射熱計為礎(chǔ),主要有多晶硅和氧化釩兩種測器。
紅外熱像儀照功能分為測溫型和非測溫型
測溫型紅外熱像儀:測溫型紅外熱像儀,可以直接從熱圖像讀物體表面任意點的溫度數(shù)值,這種系統(tǒng)可以為無損檢測儀器,但是有效距離比較短。
非測溫型紅外熱像儀:非測溫型紅外熱像儀只能觀察到物體表面熱輻射的差異,這種系統(tǒng)可以為觀測工具,有效距離比較長。
紅外熱成像儀的特點
與一般檢測設(shè)備相比,紅外熱成像儀具有以下鮮明特點:
1、熱成像儀可以運動物體進測溫,而普通測溫儀表很難做到這一點;
2、可以借助顯微鏡頭幾微甚更小的目標進測溫;
3、可以速地設(shè)備進熱斷;
4、不測量的溫度產(chǎn)干擾;
5、測溫范圍大,根據(jù)型號的不同,一般可測量0℃—2000℃的范圍;
6、靈敏度高,根據(jù)型號不同,可分辨0.1℃甚更小的溫差;
7、使安全,由于測量的非接觸性,使得熱成像儀使起來非常安全。
紅外熱成像儀的展歷程
1800年,英國天文學F.W.赫歇耳現(xiàn)了紅外線。
世紀70年,熱成像系統(tǒng)和荷耦器件被成功應。
世紀末,以焦平面陣列(FPA)為表的紅外器件被成功應。
紅外術(shù)的核心是紅外測器,紅外測器其特點可分為四:
{dy}(1970s-80s):主要是以元、多元器件進光機串/并掃描成像;
第二(1990s-2000s