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關(guān)鍵詞: Optotherm IS640 SENTRIS,Thermal Emission Microscope system
1. 它的應非常廣泛,去封裝的芯片,未去封裝的芯片,容,F(xiàn)PC,甚小尺寸的路板(PCB、PCBA),這也就讓你可以在樣品的不同階段都可以使thermal術(shù)進,如下圖示例,樣品路板漏定位到某QFN封裝器件漏,將該器件拆下后現(xiàn)漏善,該器件焊引線來,未封定位為某引腳,封后針再做,進一步確認為晶圓某引線位置漏導致,如有需要可接著做SEM,FIB等。
未封器件
封器件
2. 它能測的半導體缺陷也非常廣泛,微安級漏,低阻抗短路,ES擊傷,閂效應點,屬層部短路等等,而容的漏和短路點定位,F(xiàn)PC,PCB,PCBA的漏,微短路等也能夠jq定位
lock-in相
封芯片漏
GAN-SIC器件
3,它是無損:為日常的失效,往往樣品量稀少,這就要求失效術(shù){zh0}是無損的,而于某些例如陶瓷容和FPC的缺陷,雖然測能測存在缺陷,但是具體缺陷位置,市的無損如XRAY或超聲波,卻很難進定位,只能通過樣品進破壞性切片,且只能隨機挑選位置,而通過Thermal 術(shù),你需要的只是給樣品,就可以述兩種缺陷進定位
FPC缺陷
容缺陷
4,相熱成像(LOCK IN THERMOGRAPHY):相術(shù),將溫度分辨率高到0.001℃,5um分辨率鏡頭,可以測uA級漏流和微短路缺陷,遠由于傳統(tǒng)熱成像及液晶熱點測法(0.1℃分辨率,mA級漏流熱點)
5,系統(tǒng)能夠測量芯片等微觀器件的溫度分布,了一種速測熱點和熱梯度的有效手段,熱分布不僅能顯示缺陷的位置,在半導體領(lǐng)域
在集成路操期間,內(nèi)部結(jié)加熱導致接處的熱量集中。器件中的峰值溫度處于接處本身,并且熱從接部向外傳導到封裝中。因此,器件操期間的jq結(jié)溫測量是熱表征的組成部分。
芯片附著缺陷可能是由于諸如不充分或污染的芯片附著材料,分層或空隙等原因引起的。Sentris熱工具(如 圖像序列)可于評估樣品由內(nèi)到外的熱量傳遞過程,以便確定管芯接的完整性。
OPTOTHERM Sentris 熱射顯微鏡系統(tǒng)為一臺專為缺陷定位的系統(tǒng),專為子產(chǎn)品FA設計,通過特別的LOCK-IN術(shù),使LWIR鏡頭,仍能將將溫度分辨率升到0.001℃(1mK),同時光學分辨率{zg}達到5um,尤其其系統(tǒng)經(jīng)過多年的優(yōu)化,具有非常易和實,以下是OPTOTHERM Sentris 熱射顯微鏡系統(tǒng)過程的說明視頻
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熱射顯微鏡系統(tǒng)(Thermal Emission microscopy system),是半導體失效和缺陷定位的常的三大手段之一(EMMI,THERMAL,OBIRCH),是通過接收故障點產(chǎn)的熱輻射異常來定位故障點(熱點/Hot Spot)位置。
而OPTOTHERM Sentris 熱射顯微鏡系統(tǒng),標配LOCK IN THERMOGRAPHY相熱成像術(shù),將相術(shù)和熱成像術(shù)有機結(jié),獲得超過1mk以的溫度分辨率,uA級漏流或微短路等導致的缺陷,了非常好的解決方。
Thermal EMMI 在子及半導體應,專一刀士有動的描述,thermal 的應
1. 它的應非常廣泛,去封裝的芯片,未去封裝的芯片,容,F(xiàn)PC,甚小尺寸的路板(PCB、PCBA),這也就讓你可以在樣品的不同階段都可以使thermal術(shù)進,如下圖示例,樣品路板漏定位到某QFN封裝器件漏,將該器件拆下后現(xiàn)漏善,該器件焊引線來,未封定位為某引腳,封后針再做,進一步確認為晶圓某引線位置漏導致,如有需要可接著做SEM,FIB等。
2. 它能測的半導體缺陷也非常廣泛,微安級漏,低阻抗短路,ES擊傷,閂效應點,屬層部短路等等,而容的漏和短路點定位,F(xiàn)PC,PCB,PCBA的漏,微短路等也能夠jq定位
3,它是無損:為日常的失效,往往樣品量稀少,這就要求失效術(shù){zh0}是無損的,而于某些例如陶瓷容和FPC的缺陷,雖然測能測存在缺陷,但是具體缺陷位置,市的無損如XRAY或超聲波,卻很難進定位,只能通過樣品進破壞性切片,且只能隨機挑選位置,而通過Thermal 術(shù),你需要的只是給樣品,就可以述兩種缺陷進定位
4,相熱成像(LOCK IN THERMOGRAPHY):相術(shù),將溫度分辨率高到0.001℃,5um分辨率鏡頭,可以測uA級漏流和微短路缺陷,遠由于傳統(tǒng)熱成像及液晶熱點測法(0.1℃分辨率,mA級漏流熱點)
5,系統(tǒng)能夠測量芯片等微觀器件的溫度分布,了一種速測熱點和熱梯度的有效手段,熱分布不僅能顯示缺陷的位置,在半導體領(lǐng)域