紅外熱射顯微鏡參數(shù)_Optotherm IS640紅外熱成像顯微鏡-立特為智能話：15219504346 （溫先）

關鍵詞：  Optotherm IS640 SENTRIS，Thermal Emission Microscope system

1. 它的應非常廣泛，去封裝的芯片，未去封裝的芯片，容，F(xiàn)PC,甚小尺寸的路板（PCB、PCBA）,這也就讓你可以在樣品的不同階段都可以使thermal術進，如下圖示例，樣品路板漏定位到某QFN封裝器件漏，將該器件拆下后現(xiàn)漏善，該器件焊引線來，未封定位為某引腳，封后針再做，進一步確認為晶圓某引線位置漏導致，如有需要可接著做SEM,FIB等。

未封器件

封器件

2. 它能測的半導體缺陷也非常廣泛，微安級漏，低阻抗短路，ES擊傷，閂效應點，屬層部短路等等，而容的漏和短路點定位，F(xiàn)PC,PCB,PCBA的漏，微短路等也能夠jq定位

lock-in相

封芯片漏

GAN-SIC器件

3，它是無損：為日常的失效，往往樣品量稀少，這就要求失效術{zh0}是無損的，而于某些例如陶瓷容和FPC的缺陷，雖然測能測存在缺陷，但是具體缺陷位置，市的無損如XRAY或超聲波，卻很難進定位，只能通過樣品進破壞性切片，且只能隨機挑選位置，而通過Thermal 術，你需要的只是給樣品，就可以述兩種缺陷進定位

FPC缺陷

容缺陷

4,相熱成像（LOCK IN THERMOGRAPHY）：相術，將溫度分辨率高到0.001℃，5um分辨率鏡頭，可以測uA級漏流和微短路缺陷，遠由于傳統(tǒng)熱成像及液晶熱點測法（0.1℃分辨率，mA級漏流熱點）

5，系統(tǒng)能夠測量芯片等微觀器件的溫度分布，了一種速測熱點和熱梯度的有效手段，熱分布不僅能顯示缺陷的位置，在半導體領域

在集成路操期間，內部結加熱導致接處的熱量集中。器件中的峰值溫度處于接處本身，并且熱從接部向外傳導到封裝中。因此，器件操期間的jq結溫測量是熱表征的組成部分。

芯片附著缺陷可能是由于諸如不充分或污染的芯片附著材料，分層或空隙等原因引起的。Sentris熱工具（如 圖像序列）可于評估樣品由內到外的熱量傳遞過程，以便確定管芯接的完整性。

OPTOTHERM Sentris 熱射顯微鏡系統(tǒng)為一臺專為缺陷定位的系統(tǒng)，專為子產(chǎn)品FA設計，通過特別的LOCK-IN術，使LWIR鏡頭，仍能將將溫度分辨率升到0.001℃（1mK），同時光學分辨率{zg}達到5um,尤其其系統(tǒng)經(jīng)過多年的優(yōu)化，具有非常易和實，以下是OPTOTHERM Sentris 熱射顯微鏡系統(tǒng)過程的說明視頻

LEADERWE (‘Leaderwe intelligent international limited ‘a(chǎn)nd ‘ShenZhen Leaderwe Intelligent Co.,Ltd‘)為Optotherm公司中國表（獨理），在深圳設立optotherm紅外熱應實驗室，負責該設備的演示和售，如有相關應，可免費評估測試。

深圳市立特為智能有限公司LEADERWE立為括立為智能國際有限公司和深圳市立特為智能有限公司，是一專子、材料等領域及檢測設備的綜應商！

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熱射顯微鏡系統(tǒng)(Thermal Emission microscopy system)，是半導體失效和缺陷定位的常的三大手段之一（EMMI,THERMAL,OBIRCH）,是通過接收故障點產(chǎn)的熱輻射異常來定位故障點(熱點/Hot Spot)位置。

而OPTOTHERM Sentris 熱射顯微鏡系統(tǒng),標配LOCK IN THERMOGRAPHY相熱成像術，將相術和熱成像術有機結，獲得超過1mk以的溫度分辨率，uA級漏流或微短路等導致的缺陷，了非常好的解決方。

Thermal EMMI 在子及半導體應，專一刀士有動的描述，thermal 的應
1. 它的應非常廣泛，去封裝的芯片，未去封裝的芯片，容，F(xiàn)PC,甚小尺寸的路板（PCB、PCBA）,這也就讓你可以在樣品的不同階段都可以使thermal術進，如下圖示例，樣品路板漏定位到某QFN封裝器件漏，將該器件拆下后現(xiàn)漏善，該器件焊引線來，未封定位為某引腳，封后針再做，進一步確認為晶圓某引線位置漏導致，如有需要可接著做SEM,FIB等。
2. 它能測的半導體缺陷也非常廣泛，微安級漏，低阻抗短路，ES擊傷，閂效應點，屬層部短路等等，而容的漏和短路點定位，F(xiàn)PC,PCB,PCBA的漏，微短路等也能夠jq定位
3，它是無損：為日常的失效，往往樣品量稀少，這就要求失效術{zh0}是無損的，而于某些例如陶瓷容和FPC的缺陷，雖然測能測存在缺陷，但是具體缺陷位置，市的無損如XRAY或超聲波，卻很難進定位，只能通過樣品進破壞性切片，且只能隨機挑選位置，而通過Thermal 術，你需要的只是給樣品，就可以述兩種缺陷進定位
4,相熱成像（LOCK IN THERMOGRAPHY）：相術，將溫度分辨率高到0.001℃，5um分辨率鏡頭，可以測uA級漏流和微短路缺陷，遠由于傳統(tǒng)熱成像及液晶熱點測法（0.1℃分辨率，mA級漏流熱點）
5，系統(tǒng)能夠測量芯片等微觀器件的溫度分布，了一種速測熱點和熱梯度的有效手段，熱分布不僅能顯示缺陷的位置，在半導體領域