因而需要探索一種新的多晶硅錠的制備方法，以解決上述存在的技術問題。

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術中的缺陷，提供一種{gx}多晶硅錠的制備方法，所述方法可制得轉換效率高的多晶硅錠，制得的多晶硅錠晶粒細小且分布均勻，對應晶磚少子壽命高且低少子壽命雜質點少，無明顯枝晶和孿晶產生。

本發(fā)明是通過以下技術方案予以實現(xiàn)的。

一種{gx}多晶硅錠的制備方法，所述方法步驟如下:(I)將硅溶膠與高純石英砂料漿按5: 5 - 7: 3的質量比混合均勻形成混合漿料，將混合漿料刷涂在多晶硅鑄錠爐的坩堝的內底部形成粘結層；(2)再將形核源刷涂或灑涂在所述粘結層上形成形核源層，所述形核源的粒度為30 - 100目，形核源層的厚度為I 一 2mm; (3)然后在500 — 700°C下烘干2 — 4h ;

(4)再在形核源層的上層及坩堝的內側壁刷涂氮化硅涂層；(5)然后再在位于形核源層上方的氮化硅涂層上鋪設一層形核源保護層，以防止形核源在裝料過程中遭到破壞，所述形核源保護層由完整的片狀廢硅料鋪設而成，所述保護層的厚度為I一 20_ ;

(6)向坩堝內裝載固體硅料，關閉多晶硅鑄錠爐的保溫罩，加熱坩堝至1530 - 1560°C直至固體硅料wq熔化成硅液；(7)

通過調整多晶硅鑄錠爐的加熱功率來控制坩堝內部的溫度梯度，使得坩堝內部形成由底部向上的垂直溫度梯度，打開保溫罩，將保溫罩升高5 — 8cm,將多晶鑄錠的頂部中央?yún)^(qū)域溫度(TCl)降低至1420 - 1432°C，使得坩堝底部溫度降低，坩堝底部硅液處于過冷狀態(tài)，利用形核源層形核結晶從而得到{gx}多晶硅錠，所述形核結晶過程中過冷度控制在-10~-35K。

多晶硅VS薄膜 太陽能電池的艱難抉擇

原本堅持做薄膜電池的無錫尚德，做出了一個艱難的決定。公司將原本擬生產薄膜太陽能電池的上海工廠，轉產多晶硅電池。11月初，無錫尚德上海新的多晶硅電池生產廠正式投產，而這一工廠由建設中的薄膜電池廠轉型而來。無錫尚德董事長兼CEO施正榮表示，薄膜電池因為轉化效率太低，不具備競爭性。作為獲得薄膜太陽能電池領域博士學i位的施正榮，放棄繼續(xù)在薄膜電池領域的努力，是否預示著太陽能電池發(fā)展方向上的重大轉折？

多晶硅降價成本優(yōu)勢明顯

據(jù)了解，目前一條薄膜電池生產線價格是晶硅電池的3倍左右，配套的相關設施價格也是晶硅電池數(shù)倍以上。而對生產企業(yè)來說更關鍵的是，薄膜電池技術更新迅速，企業(yè)投入大。

多晶硅定向凝固裝置

[簡介]： 本發(fā)明屬于多晶硅定向凝固領域，具體涉及一種多晶硅定向凝固誘導流動抑制雜質反擴散的方法，在真空環(huán)境下將多晶硅原料加熱熔化形成硅液，然后充入氣，通過拉錠機構對硅液進行定向凝固，當硅液定向凝固到75～85%時，開啟真空...

多晶硅定向凝固誘導流動抑制雜質反擴散的方法

[簡介]： 本發(fā)明屬于半導體材料技術領域，是一種把非晶硅轉化成定向多晶硅的方法。本發(fā)明是在已脫氫的非晶硅表面濺射一薄層金屬鎳，薄層厚度為2.0～3.0nm，在400～500℃溫度，氮氣氣氛下退火3～5小時，形成一薄層鎳硅化合物NiSi2小籽晶，用...