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PVD的全寫為Physical Vapor Deposition,中文翻譯為物lq相沉積。
采用陰極電弧等離子體沉積技術。陰極電弧等離子體沉積是相對較新的薄膜沉積技術,它在許多方面類似于離子鍍技術。其優(yōu)點:在發(fā)射的粒子流中離化率高,而且這些離化的離子具有較高的動能(40-100eV)。許多離子束沉積的優(yōu)點,如提粘著力,增加態(tài)密度、對化合物膜形成具有高反應率等優(yōu)點在陰極電弧等離子體沉積中均有所體現(xiàn)。而陰極電弧等離子體沉積又具有自己一些獨特優(yōu)點,如可在較多復雜形狀基片上進行沉積,沉積率高,涂層均勻性好,基片溫度低,易于制備理想化學配比的化合物或合金。
通過蒸發(fā)過程將陰極材料蒸發(fā)是源于高電流密度,所得到的蒸發(fā)物由電子、離子、中心氣相原子和微粒組成。在陰極電弧點,材料幾乎百分百被離化,這里離子在幾乎垂直于陰極表面的方向發(fā)射出去,當帶有高能量的鉻離子碰到氮氣后便會馬上產(chǎn)生化學反應,變成氣態(tài)的氮化鉻分子了。
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