國產(chǎn)壓力送器高歌猛進(jìn)，突破外資品成市場主力

在過去的幾十年里，石油化工行業(yè)風(fēng)光無限，每年都有大筆投資，到處都是千萬噸煉油百萬噸乙烯的大石化項(xiàng)目，但由于不公平公開競爭的存在，國產(chǎn)壓力送器廠家一直被拒之門外，有些在標(biāo)書上說明要求是進(jìn)口品或合資品，有些選用國外品給定的參數(shù)，有些要求擁有大型石化項(xiàng)目的五年以上應(yīng)用案例，有些設(shè)立推薦供應(yīng)商名單（短名單），但從未有任何技術(shù)文件證明為什么要這么高的精度，符合這樣的國外標(biāo)準(zhǔn)，對于國外品和他們的代理商來說，那是坐著掙的黃金時代，對于國產(chǎn)的自主研發(fā)的壓力送器生產(chǎn)商來說，那是為生存掙扎和奮發(fā)圖強(qiáng)的艱苦歲月，也正是這些磨礪，以一代單晶硅技術(shù)壓力送器為代表的工業(yè)型壓力送器茁壯成長，正在成為國內(nèi)壓力送器行業(yè)的主力軍。

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上海立格儀表有限公司（LEEG）把一代高精度壓力送器命名為單晶硅壓力送器（single crystal silicon pressure transmitter），其采用單晶硅壓力傳感器作為敏感核心部件，精度達(dá)到0.05%F.S的高性能及極具xjb單晶硅技術(shù)壓力送器，單晶硅壓力傳感器位于金屬本體最頂部，遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面，實(shí)現(xiàn)機(jī)械隔離和熱隔離；玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線實(shí)現(xiàn)了與金屬基體的高強(qiáng)度電氣絕緣，從容應(yīng)對極端的化學(xué)場合和機(jī)械負(fù)荷，同時具備極強(qiáng)的抗電磁干擾能力，徹底解決電容差壓送器的問題，獲得廣大的用戶的認(rèn)可，國內(nèi)各個廠商紛紛放棄電容壓力送器，跟隨開發(fā)單晶硅壓力送器產(chǎn)品，從此開啟了國產(chǎn)工業(yè)型壓力送器的單晶硅技術(shù)時代。

同時，上海立格在核心技術(shù)研發(fā)上持續(xù)加大投入，在單晶硅微差壓傳感器的取得技術(shù)突破進(jìn)展，在更高要求的微差壓0-250Pa量程的氣體流量、差壓測量中的具有高精度長期穩(wěn)定的突出表現(xiàn)，從此縮小了國產(chǎn)壓力送器與進(jìn)口品的性能差異，成為國內(nèi)空氣、煙氣、尾氣等氣體流量測量的領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)品，gd流程工業(yè)壓力送器開始進(jìn)入國產(chǎn)與進(jìn)口品同臺競技的時代。

      單晶硅，是硅的單晶體，具有金剛石晶格，晶體硬而脆，是重要的半導(dǎo)體材料，采用先進(jìn)的切、磨、拋和光刻、鍵合、膜屏蔽的特殊工藝進(jìn)行敏感元件加工，并在潔凈車間中進(jìn)行核心單晶硅壓力傳感器的封裝，通過后續(xù)先進(jìn)工藝流程生產(chǎn)單晶硅壓力送器整機(jī)。

      單晶硅傳感器采用微電子機(jī)械加工技術(shù)（MEMS）精密制造，高低端壓力通過隔離膜片和填充液傳遞到單晶硅敏感元件，受力時惠斯登電橋失衡電阻值發(fā)生化，利用電流激勵，轉(zhuǎn)換成與差壓值成線性化電壓值輸出。

     全隔離封裝，{yx}的抗干擾能力——單晶硅敏感元件絕緣安裝在傳感器膜盒內(nèi)部，測量壓力通過隔離膜片和填充液傳遞，從而實(shí)現(xiàn)了全隔離封裝，避免受到測量和環(huán)境的溫度化、電氣干擾和機(jī)械振動影響。

     高頻響應(yīng)能力——單晶硅材質(zhì)具有優(yōu)異的性能，其固有諧振頻率超過500Hz，壓力傳遞到敏感元件上，立即被感應(yīng)被轉(zhuǎn)換為信號輸出，整體響應(yīng)時間不超過5mS，適合高頻動態(tài)場合應(yīng)用。

     強(qiáng)大的抗過載能力——雙過載保護(hù)技術(shù)，中心膜片和隔離膜片組成雙過載保護(hù)，正常測量中，隔離膜片接觸壓力形，填充液傳遞給中心膜片和敏感元件。隔離膜片與堅固膜盒本體有相同的波紋結(jié)構(gòu)，高低壓某端壓力過大時，中心膜片在高壓下的形，避免過多填充液傳遞給敏感元件，隔離膜片完成緊貼膜盒本體，即使壓力繼續(xù)增大，填充液也不再傳遞給敏感元件，從而實(shí)現(xiàn)了過載保護(hù)，單晶硅材料的彈性性能{jj0}，恢復(fù)正常后不影響測量。

     傳感器模塊化——在生產(chǎn)中，傳感器按照工作范圍的壓力和溫度進(jìn)行循環(huán)測試，進(jìn)行6個溫度段和15個點(diǎn)線性化補(bǔ)償，所有計算數(shù)據(jù)都保留在傳感器膜盒內(nèi)部自帶內(nèi)存中，在后續(xù)生產(chǎn)或維修中，送模塊可以通過讀取內(nèi)存中的數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)高精度輸出。