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CYPRESS存儲器 sram和dram的區(qū)別 CY7C109D 相關(guān)信息由 深圳市英尚微電子有限公司提供。如需了解更詳細的 CYPRESS存儲器 sram和dram的區(qū)別 CY7C109D 的信息，請點擊 http://www.nciecn.com/b2b/sramdram.html 查看 深圳市英尚微電子有限公司 的詳細聯(lián)系方式。
SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，功耗較小，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。
現(xiàn)將它的特點歸納如下：
◎優(yōu)點，速度快，不必配合內(nèi)存刷新電路，可提高整體的工作效率。
◎缺點，集成度低，掉電不能保存數(shù)據(jù)，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提{gx}率。
◎SRAM使用的系統(tǒng)：
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