半導體材料行業(yè)作為半導體產(chǎn)業(yè)的直接上游,是半導體行業(yè)技術(shù)進步并不斷發(fā)展的基石。近年來,隨著半導體行業(yè)向高質(zhì)量發(fā)展轉(zhuǎn)變,半導體級單晶硅材料行業(yè)對市場參與者的研發(fā)能力、生產(chǎn)能力及品質(zhì)管控能力均提出了很高的要求,而缺乏高素質(zhì)的研發(fā)人員和有經(jīng)驗的生產(chǎn)管理人員是我國半導體企業(yè)面臨的普遍現(xiàn)象,成為制約我國半導體級單晶硅材料行業(yè)發(fā)展進步的一大障礙。作為國內(nèi){lx1}的半導體級單晶硅材料供應(yīng)商,神工股份在經(jīng)過多年的技術(shù)積累,突破并優(yōu)化了多項關(guān)鍵技術(shù),使國內(nèi)的無磁場大直徑單晶硅制造技術(shù)、固液共存界面控制技術(shù)、熱場尺寸優(yōu)化工藝等技術(shù)進入到國際先進水平。
據(jù)了解,錦州神工半導體股份有限公司(簡稱神工股份) 2013年7月成立于中國遼寧省錦州市。自成立以來,神工股份便專注于半導體級單晶硅材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,持續(xù)積累并優(yōu)化核心技術(shù)。通過不斷優(yōu)化晶體尺寸、缺陷密度、元素含量、元素分布均勻性等系列參數(shù)指標,神工股份能準確把握晶體成長窗口期以控制固液共存界面形狀,在密閉高溫腔體內(nèi)進行原子有序排列并完成晶體生長,實現(xiàn)高良品率和參數(shù)一致性。
7大技術(shù)核心技術(shù) 助力半導體行業(yè)有序發(fā)展
隨著晶體直徑的增加,生產(chǎn)用坩堝直徑將增大,生產(chǎn)過程中熱場的不均勻性及硅熔液的對流情況也越明顯,導致部分硅原子排列呈現(xiàn)不規(guī)則性,進而形成晶體缺陷,造成良品率下降,一般情況下坩堝尺寸大于 24 英寸即需要借助強磁場系統(tǒng)抑制對流,神工股份的無磁場大直徑單晶硅制造技術(shù),通過模擬有限元熱場計算,開發(fā)出特有的熱場設(shè)計工藝,實現(xiàn)無磁場環(huán)境大直徑單晶硅的制造。
在直拉法工藝中,晶體的固液共存界面控制技術(shù)是單晶晶體生長的關(guān)鍵。晶體生長的不同階段需要不同的界面控制方法才能實現(xiàn)產(chǎn)品生產(chǎn)的gx和高良品率。神工股份擁有的固液共存界面控制技術(shù)確保晶體生長不同階段均能保持合適的固液共存界面,大幅提高了晶體制造效率和良品率。
在直拉法拉晶工藝過程中,成品晶體直徑與熱場直徑比通常不超過 0.5。神工股份的熱場尺寸優(yōu)化工藝,在保證高良品率的前提下,將成品晶體直徑與熱場直徑比提高到 0.6-0.7 的技術(shù)水平,有效降低了生產(chǎn)投入成本。
在保證高良品率的前提下,神工股份的多晶硅投料工藝不斷優(yōu)化,實現(xiàn)了多晶硅原材料與回收料配比投入并量產(chǎn),同時實現(xiàn)了單位爐次投料量及良品產(chǎn)量不斷增長
P 型單晶硅棒電阻率控制是通過將硼系列合金摻入硅熔液中實現(xiàn)。神工股份電阻率精準控制技術(shù),通過摻雜劑的標定方法、摻雜劑在硅溶液中的擴散計算方法、目標電阻的設(shè)定方式實現(xiàn)了產(chǎn)品電阻率的精準控制。
如何提高引晶的成功率,是國內(nèi)半導體材料生產(chǎn)商普遍頭疼的問題之一,神工股份的引晶技術(shù)通過控制晶體頸部的直徑及長度等參數(shù),快速排除晶體面缺陷和線缺陷,減少晶體位錯,從而提高一次引晶的成功率,為行業(yè)樹立了新標桿。
輕摻晶體中容易產(chǎn)生晶體原生顆粒等點缺陷,導致單晶硅不能用于微小設(shè)計線寬的集成電路制造,減少或xc晶體點缺陷是開發(fā)先進制程硅片的前提,神工股份的點缺陷密度控制技術(shù),已實現(xiàn)在無磁場環(huán)境下利用點缺陷密度控制技術(shù)控制并有效降低點缺陷密度。
目前,神工股份已成功進入全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈體系,并形成了自身獨特的競爭優(yōu)勢。未來神工股份除繼續(xù)鞏固現(xiàn)有產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)勢和市場優(yōu)勢、不斷拓展市場及下游產(chǎn)業(yè)鏈外,還將重點利用現(xiàn)有資源和技術(shù)基礎(chǔ),持續(xù)增加研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化投入,逐步進入市場空間更為廣闊的芯片用單晶硅材料市場,以實現(xiàn)公司長期的愿景。更多關(guān)于神工股份以及神工半導體內(nèi)容請gz公司官方網(wǎng)站http://www.thinkon-/了解詳情!