東莞市鼎偉靶材有限公司是專業(yè)生產(chǎn)純屬材料，蒸鍍膜材料以及濺射靶材的技術(shù)企業(yè)應(yīng)用的科技型民營(yíng)股份制工貿(mào)有限公司。公司以青島大學(xué)和青島科技大學(xué)蒸材料專業(yè)為技術(shù)依托，擁有多名中級(jí)專業(yè)技術(shù)人員和專業(yè)化應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，有很強(qiáng)的蒸材料能力。公司先后研的蒸材料、濺射靶材系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用到國(guó)內(nèi)外眾多知名子、太陽(yáng)能企業(yè)當(dāng)中，以較的價(jià)比，成功替代了國(guó)外進(jìn)口產(chǎn)品，頗受用戶好評(píng)。
磁控濺射子槍燈絲
東莞市鼎偉靶材有限公司
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公司主要經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品：
一、真空鍍膜材料
1．純真空濺射靶材（99.9％——99.999％）
純屬靶材：鋯靶Zr、鉻靶Cr、鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Sn、釩靶V、銻靶Sb、銦靶、硼靶B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、鉭靶 Ta、鋅靶Zn、鎂靶Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鈷靶Co、鐵靶Fe、鍺靶Ge、鉿靶Hf、鉛靶Pb、鎳靶Ni、銀靶Ag、硒靶Se、鈹靶Be、碲靶Te、不銹鋼靶材S.S等……
多元合靶材： 鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr、鎳鋁靶Ni-Al、鎳釩靶Ni-V、鎳鐵靶Ni-Fe、鐵鈷靶Fe-Co、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si、鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等……
陶瓷濺射靶材：ITO靶、單晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化鈦靶TiO2、氧化鋯靶ZrO2、二硼化鈦靶TiB2、氧化鎂靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二釔靶Y2O3、五氧化二釩靶V2O5、氧化鋅靶ZnO、硫化鋅靶ZnS、硫化鉬靶MoS、硫化鎢靶WS、氧化鋅鋁靶ZAO、氧化鋁靶Al2O3、鈦酸鍶靶SrTiO3、五氧化二鉭靶Ta2O5、五氧化二鈮靶Nb2O5、氧化鋅鎵靶ZGO、氧化鋅硼靶ZBO、砷化鎵靶GaAs，磷化鎵靶GaP，硒化鋅靶、錳酸鋰靶、鎳鈷酸鋰靶、鉭酸鋰靶，鈮酸鋰靶、等…
稀土屬靶：鑭靶、鈰靶、鐠靶、釹靶、釤靶、銪靶、釓靶、鋱靶、鏑靶、鈥靶、鉺靶、銩靶、鐿靶、镥靶、釔靶等…
稀土氧化物靶：氧化鑭靶、氧化鈰靶、氧化鐠靶、氧化T18937326747(不是聯(lián)系方式)釤靶、氧化銪靶、氧化釹靶、氧化釓靶、氧化鋱靶、氧化鏑靶、氧化鈥靶、氧化鉺靶、氧化銩靶、氧化鐿靶、氧化镥靶
屬膜阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu濺射靶材：
屬膜阻器用靶材括阻系列（ZYG）、中阻系列（ZYZ）和低阻系列（ZYC）、超低阻系列（ZYCD）。
2．純光學(xué)鍍膜材料（99.99％——99.999％）
氧化物：一氧化硅、二氧化硅、一氧化鈦、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、二氧化鈰、二鈦酸鐠、三氧化鎢、五氧化二鉭、五氧化二鈮、三氧化二鈧、三氧化二鋁、三氧化二銦、氧化鐿、氧化鋅、氧化鎂、氧化釓、氧化釤、氧化釹、氧化鈣、氧化鐠、氧化鉍、氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鐵、氧化釩等…
氟化物：氟化鎂、氟化鈣、氟化釹、氟化鑭、氟化鐿、氟化釔、氟化鉺、氟化釤、氟化鏑、氟化鈰、氟化鋇、氟化鍶、氟化鉀、氟化鈉等…
硫化物：硫化鋅、硫化鉬、硫化鈣、硫化銻、硫化鐵、硫化鈉等…
純銀：銀靶、銀粒、銀絲、銀極、銀片、銀粉
純度：3N 、3N5、4N、5N
規(guī)格：銀靶（平面圓靶，方靶，旋轉(zhuǎn)靶，臺(tái)階靶均可加工，規(guī)格戶要求定做） 銀粒（規(guī)格Φ2*5mm,Φ2*10mm，其他規(guī)格定做）
銀絲（Φ0.2mm、Φ0.3mm、Φ0.5mm、Φ1mm其他規(guī)格定做）
銀片（根據(jù)戶要求定做）
銀粉（根據(jù)戶要求定做）
靶材是子工業(yè)實(shí)現(xiàn)各種功能鍍膜的材料，因此靶材行業(yè)的展主要還是依賴于下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步。而近年來(lái)材料、子的展，各種光薄膜、磁薄膜以及子薄膜在這些技術(shù)領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。技術(shù)產(chǎn)業(yè)的展，也讓靶材的生產(chǎn)逐漸趨于專業(yè)化?？梢哉f(shuō)，靶材行業(yè)是子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵撐。
據(jù)《中國(guó)靶材行業(yè)報(bào)告》的統(tǒng)計(jì)，我國(guó)靶材產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)規(guī)模逐年擴(kuò)大，僅濺射靶材在半導(dǎo)體集成路領(lǐng)域的應(yīng)用規(guī)模目前就已經(jīng)達(dá)到十多億元。作為制備和生產(chǎn)功能薄膜的方法之一，濺射法廣泛應(yīng)用于許多領(lǐng)域。它是目前制備屬薄膜最常用的工藝。作為技術(shù)用的靶材是一種全的概念。隨著技術(shù)用材料突飛猛進(jìn)的展，靶材的市場(chǎng)銷售規(guī)模日益擴(kuò)大
【原創(chuàng)內(nèi)容】
能重復(fù)使用。當(dāng)我們收到用戶提供的已使用過(guò)的背靶后，我們會(huì)首先進(jìn)行卸靶處理（如適用）并且對(duì)背靶進(jìn)行完全檢查，檢查的重點(diǎn)括背靶的平整度，完整及密封等。我們會(huì)通知需要進(jìn)行溫帖合的條件下，無(wú)氧化銅容易被氧化和生翹曲,所以會(huì)使用屬鉬為背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些屬靶材的熱膨脹系數(shù)無(wú)法與無(wú)氧銅匹配，同樣也需要使用化合物覆蓋面積加的速率得不到抑制，濺射溝道將進(jìn)一步被化合物覆蓋，當(dāng)濺射靶被化合物全部覆蓋的時(shí)候，靶完全中一、背靶材料無(wú)氧銅(OFC)–目前最常使用的作背靶的材料清潔。第四步在清除完有污垢的區(qū)域后，再用壓低水氣的氬氣沖洗靶材，以除去所有可能在濺射系統(tǒng)中會(huì)造成起弧的雜質(zhì)粒三、靶材安裝靶材安裝過(guò)程中最重要的意事項(xiàng)是一定清潔。第四步在清除完有污垢的區(qū)域后，再用壓低水氣的氬氣沖洗靶材，以除去所有可能在濺射系統(tǒng)中會(huì)造成起弧的雜質(zhì)粒三、靶材安裝靶材安裝過(guò)程中最重要的意事項(xiàng)是一定
大部分背靶可以重復(fù)使用，尤其是采用屬銦進(jìn)行帖合的比較容易進(jìn)行清潔和重使用。如果是采用其他帖合劑（括環(huán)氧樹脂）則可能需要采用機(jī)械處理的方式對(duì)背靶表面處理后才
第二步與{dy}步類似用酒精清潔；第三步用去離子水清洗。在用去離子水清洗過(guò)后再將靶材放置在烘箱中以100攝氏度烘干30分鐘。氧化物及陶瓷靶材的清洗建潔用“無(wú)絨布”進(jìn)行氣體(氬氣或氧氣)必須清潔并干燥，濺鍍腔內(nèi)裝入基材后便需將空氣抽出，達(dá)到工藝所要求的真空度。暗區(qū)屏蔽罩，腔體壁及鄰近表面也需要保持潔凈。在清洗真空腔體時(shí)我們建議采
