最早應用半導體 P-N 結(jié)發(fā)光原理制成的 LED 光源問世于 20 世紀 60 年代初。當時所用的材料是 GaAsP ，發(fā)紅光（ λ p =650nm ），在驅(qū)動電流為 20 毫安時，光通量只有千分之幾個流明，相應的發(fā)光效率約 0.1 流明 / 瓦。70 年代中期，引入元素 In 和 N ，使 LED 產(chǎn)生綠光（ λ p =555nm ），黃光（ λ p =590nm ）和橙光（ λ p =610nm ），光效也提高到 1 流明 / 瓦。到了 80 年代初，出現(xiàn)了 GaAlAs 的 LED 光源，使得紅色 LED 的光效達到 10 流明 / 瓦。90 年代初，發(fā)紅光、黃光的 GaAlInP 和發(fā)綠、藍光的 GaInN 兩種新材料的開發(fā)成功，使 LED 的光效得到大幅度的提高。在 2000 年，前者做成的 LED 在紅、橙區(qū)（ λ p =615nm ）的光效達到 100 流明 / 瓦，而后者制成的 LED 在綠色區(qū)域（ λ p =530nm ）的光效可以達到 50 流明 / 瓦