產(chǎn)品特色
JEDEC標(biāo)準(zhǔn)1.2V(1.26V?1.14V)電源
JEDEC標(biāo)準(zhǔn)260針雙列直插式內(nèi)存模塊
8位預(yù)取
在與ODT引腳的終止
雙向差分?jǐn)?shù)據(jù)選通
平均刷新周期為7.8us,低于TCASE 85°C,在85°C時(shí)為3.9us <TCASE≤95°C
30μ“金手指
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品介紹:
Innodisk寬溫DRAM模塊專為工業(yè)系統(tǒng)而設(shè)計(jì),非常適合在極端溫度下工作的應(yīng)用。這些模塊使用30μ“金手指”的工業(yè)級(jí)SDRAM組件,以確保內(nèi)存保持其高品質(zhì)的信號(hào),即使在-40oC或高達(dá)85oC的溫度下。
規(guī)格:
系列
無(wú)緩沖寬溫
模塊類型
DDR4 SODIMM
接口
DDR4
構(gòu)成因素
SODIMM
數(shù)據(jù)速率
2133噸/秒,2400噸/秒,2666噸/秒
容量
4GB,8GB,16GB
功能
非ECC無(wú)緩沖內(nèi)存
針號(hào)
260pin
寬度
64位
電壓
1.2V
PCB高度
1.18英寸
操作溫度
-40°C?+ 85°C
金手指30μ“
?
增值服務(wù)(可選)
保形涂層,側(cè)面填充
產(chǎn)品料號(hào):
類型和速度
類型和速度
密度
高度
Innodisk Memory P / N