半導(dǎo)體芯片退火

半導(dǎo)體芯片在經(jīng)過(guò)離子注入以后就需要退火。因?yàn)橥雽?dǎo)體中注入雜質(zhì)離子時(shí)，高能量的入射離子會(huì)與半導(dǎo)體晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子發(fā)生位移，結(jié)果造成大量的空位，將使得注入?yún)^(qū)中的原子排列混亂或者變成為非晶區(qū)，所以在離子注入以后必須把半導(dǎo)體放在一定的溫度下進(jìn)行退火，以恢復(fù)晶體的結(jié)構(gòu)和xc缺陷。同時(shí)，退火還有啟動(dòng)施主和受主雜質(zhì)的功能，即把有些處于間隙位置的雜質(zhì)原子通過(guò)退火而讓它們進(jìn)入替位置。退火的溫度一般為200~800C，比熱擴(kuò)散摻雜的溫度要低得多。

蒸發(fā)電極金屬退火

蒸發(fā)電極金屬以后需要進(jìn)行退火，使得半導(dǎo)體表面與金屬能夠形成合金，以接觸良好（減小接觸電阻）。這時(shí)的退火溫度要選取得稍高于金屬-半導(dǎo)體的共熔點(diǎn)（對(duì)于Si-Al合金，為570度）。  

上下屈fu強(qiáng)度的判定：

1：屈fu前的初個(gè)峰值應(yīng)力判為上屈fu強(qiáng)度，不管其后峰值應(yīng)力大小如何。

2：屈fu階段中出現(xiàn)2個(gè)或2個(gè)以上的谷值應(yīng)力，舍去初個(gè)谷值應(yīng)力，取其余谷值中至小者為下屈fu強(qiáng)度。如果只有1個(gè)谷值應(yīng)力，則取為下屈fu強(qiáng)度。

 3：屈fu階段出現(xiàn)平臺(tái)，平臺(tái)應(yīng)力判定為下屈fu強(qiáng)度。如出現(xiàn)多個(gè)平臺(tái)且后者高于前者，取初個(gè)平臺(tái)應(yīng)力為下屈fu強(qiáng)度。

 4：正確的判定結(jié)果是下屈fu強(qiáng)度一定比上屈fu強(qiáng)度低。

屈fu強(qiáng)度的意義

傳統(tǒng)的強(qiáng)度設(shè)計(jì)方法，對(duì)塑性材料，以屈fu強(qiáng)度為標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)定許用應(yīng)力[σ]=σys/n，安全系數(shù)n一般取2或更大，對(duì)脆性材料，以抗拉強(qiáng)度為標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)定許用應(yīng)力[σ]=σb/n，安全系數(shù)n一般取6。 屈fu強(qiáng)度不僅有直接的使用意義，在工程上也是材料的某些力學(xué)行為和工藝性能的大致度量。例如材料屈fu強(qiáng)度增高，對(duì)應(yīng)力腐蝕和氫脆就敏感；材料屈fu強(qiáng)度低，冷加工成型性能和焊接性能就好等等。因此，屈fu強(qiáng)度是材料性能中不可缺少的重要指標(biāo)。

影響屈fu強(qiáng)度的因素

 影響屈fu強(qiáng)度的內(nèi)在因素有：結(jié)合鍵、組織、結(jié)構(gòu)、原子本性。如將金屬的屈fu強(qiáng)度與陶瓷、高分子材料比較可看出結(jié)合鍵的影響是根本性的。從組織結(jié)構(gòu)的影響來(lái)看，可以有四種強(qiáng)化機(jī)制影響金屬材料的屈fu強(qiáng)度，即固溶強(qiáng)化、形變強(qiáng)化、沉淀強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化、晶界 和亞晶強(qiáng)化。其中沉淀強(qiáng)化和細(xì)晶強(qiáng)化是工業(yè)合金中提高材料屈fu強(qiáng)度的最常用的手段。在這幾種強(qiáng)化機(jī)制中，前三種機(jī)制在提高材料強(qiáng)度的同時(shí)，也降低了塑性，只有細(xì)化晶粒和亞晶，既能提高強(qiáng)度又能增加塑性。 影響屈fu強(qiáng)度的外在因素有：溫度、應(yīng)變速率、應(yīng)力狀態(tài)。隨著溫度的降低與應(yīng)變速率的增高,材料的屈fu強(qiáng)度升高，尤其是體心立方金屬對(duì)溫度和應(yīng)變速率特別敏感，這導(dǎo)致了鋼的低溫脆化。應(yīng)力狀態(tài)的影響也很重要。雖然屈fu強(qiáng)度是反映材料的內(nèi)在性能的一個(gè)本質(zhì)指標(biāo)，但應(yīng)力狀態(tài)不同，屈fu強(qiáng)度值也不同。我們通常所說(shuō)的材料的屈fu強(qiáng)度一般是指在單向拉伸時(shí)的屈fu強(qiáng)度。