東莞市鼎偉靶材有限公司是專業(yè)生產(chǎn)純屬材料，蒸鍍膜材料以及濺射靶材的技術(shù)企業(yè)應(yīng)用的科技型民營股份制工貿(mào)有限公司。公司以青島大學(xué)和青島科技大學(xué)蒸材料專業(yè)為技術(shù)依托，擁有多名中級專業(yè)技術(shù)人員和專業(yè)化應(yīng)用實驗室，有很強的蒸材料能力。公司先后研的蒸材料、濺射靶材系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用到國內(nèi)外眾多知名子、太陽能企業(yè)當(dāng)中，以較的價比，成功替代了國外進(jìn)口產(chǎn)品，頗受用戶好評。

鍍膜片

東莞市鼎偉靶材有限公司

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公司主要經(jīng)營產(chǎn)品： 

一、真空鍍膜材料 

1．純真空濺射靶材（99.9％——99.999％）

純屬靶材：鋯靶Zr、鉻靶Cr、鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Sn、釩靶V、銻靶Sb、銦靶、硼靶B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、鉭靶 Ta、鋅靶Zn、鎂靶Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鈷靶Co、鐵靶Fe、鍺靶Ge、鉿靶Hf、鉛靶Pb、鎳靶Ni、銀靶Ag、硒靶Se、鈹靶Be、碲靶Te、不銹鋼靶材S.S等……

多元合靶材： 鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr、鎳鋁靶Ni-Al、鎳釩靶Ni-V、鎳鐵靶Ni-Fe、鐵鈷靶Fe-Co、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si、鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等……

陶瓷濺射靶材：ITO靶、單晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化鈦靶TiO2、氧化鋯靶ZrO2、二硼化鈦靶TiB2、氧化鎂靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二釔靶Y2O3、五氧化二釩靶V2O5、氧化鋅靶ZnO、硫化鋅靶ZnS、硫化鉬靶MoS、硫化鎢靶WS、氧化鋅鋁靶ZAO、氧化鋁靶Al2O3、鈦酸鍶靶SrTiO3、五氧化二鉭靶Ta2O5、五氧化二鈮靶Nb2O5、氧化鋅鎵靶ZGO、氧化鋅硼靶ZBO、砷化鎵靶GaAs，磷化鎵靶GaP，硒化鋅靶、錳酸鋰靶、鎳鈷酸鋰靶、鉭酸鋰靶，鈮酸鋰靶、等… 

稀土屬靶：鑭靶、鈰靶、鐠靶、釹靶、釤靶、銪靶、釓靶、鋱靶、鏑靶、鈥靶、鉺靶、銩靶、鐿靶、镥靶、釔靶等… 

稀土氧化物靶：氧化鑭靶、氧化鈰靶、氧化鐠靶、氧化釤靶、氧化銪靶、氧化釹靶、氧化釓靶、氧化鋱靶、氧化鏑靶、氧化鈥靶、氧化鉺靶、氧化銩靶、氧化鐿靶、氧化镥靶 

屬膜阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu濺射靶材：

屬膜阻器用靶材括阻系列（ZYG）、中阻系列（ZYZ）和低阻系列（ZYC）、超低阻系列（ZYCD）。

2．純光學(xué)鍍膜材料（99.99％——99.999％）

氧化物：一氧化硅、二氧化硅、一氧化鈦、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、二氧化鈰、二鈦酸鐠、三氧化鎢、五氧化二鉭、五氧化二鈮、三氧化二鈧、三氧化二鋁、三氧化二銦、氧化鐿、氧化鋅、氧化鎂、氧化釓、氧化釤、氧化釹、氧化鈣、氧化鐠、氧化鉍、氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鐵、氧化釩等… 

氟化物：氟化鎂、氟化鈣、氟化釹、氟化鑭、氟化鐿、氟化釔、氟化鉺、氟化釤、氟化鏑、氟化鈰、氟化鋇、氟化鍶、氟化鉀、氟化鈉等… 

硫化物：硫化鋅、硫化鉬、硫化鈣、硫化銻、硫化鐵、硫化鈉等…

貴屬：、銀、鉑、釕、銠、鈀、鋨、銥

純：靶、粒、絲、極、片、粉

純度：3N 、3N5、4N、4N5、5NT18937326747(不是聯(lián)系方式)

規(guī)格：靶（平面圓靶，方靶，旋轉(zhuǎn)靶，臺階靶均可加工，規(guī)格戶要求定做）    粒（規(guī)格Φ2*5mm,Φ2*10mm，其他規(guī)格定做）

      絲（Φ0.2mm、Φ0.3mm、Φ0.5mm、Φ1mm其他規(guī)格定做）

      片（根據(jù)戶要求定做）

      粉（根據(jù)戶要求定做）

靶材的主要能要求:

純度

純度是靶材的主要能指標(biāo)之一，因為靶材的純度對薄膜的能影響很大。不過在實際應(yīng)用中，對靶材的純度要求也不盡相同。例如，隨著子行業(yè)的迅速展，硅片尺寸由6”, 8“展到12”, 而布線寬度由0.5um減到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。

雜質(zhì)含量

靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對不同雜質(zhì)含量的要求也不同。例如，半導(dǎo)體工業(yè)用的純鋁及鋁合靶材，對堿屬含量和放射元素含量都有特殊要求。

【原創(chuàng)內(nèi)容】
濺射工藝進(jìn)行過程中靶表面濺射溝區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重暴露屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合能重復(fù)使用。當(dāng)我們收到用戶提供的已使用過的背靶后，我們會首先進(jìn)行卸靶處理（如適用）并且對背靶進(jìn)行wq檢查，檢查的重點括背靶的平整度，完整及密封等。我們會通知提供的已使用過的背靶后，我們會首先進(jìn)行卸靶處理（如適用）并且對背靶進(jìn)行wq檢查，檢查的重點括背靶的平整度，完整及密封等。我們會通知用戶對背靶的檢查結(jié)果，如

大部分背靶可以重復(fù)使用，尤其是采用屬銦進(jìn)行帖合的比較容易進(jìn)行清潔和重使用。如果是采用其他帖合劑（括環(huán)氧樹脂）則可能需要采用機械處理的方式對背靶表面處理后才