東莞市鼎偉靶材有限公司是專業(yè)生產(chǎn)純屬材料，蒸鍍膜材料以及濺射靶材的技術(shù)企業(yè)應(yīng)用的科技型民營股份制工貿(mào)有限公司。公司以青島大學(xué)和青島科技大學(xué)蒸材料專業(yè)為技術(shù)依托，擁有多名中級(jí)專業(yè)技術(shù)人員和專業(yè)化應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，有很強(qiáng)的蒸材料能力。公司先后研的蒸材料、濺射靶材系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用到國內(nèi)外眾多知名子、太陽能企業(yè)當(dāng)中，以較的價(jià)比，成功替代了國外進(jìn)口產(chǎn)品，頗受用戶好評(píng)。

鉑靶Pt，鈦鋁靶

公司主要經(jīng)營產(chǎn)品： 

一、真空鍍膜材料 

1．純真空濺射靶材（99.9％——99.999％）

純屬靶材：鋯靶Zr、鉻靶Cr、鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Sn、釩靶V、銻靶Sb、銦靶、硼靶B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、鉭靶 Ta、鋅靶Zn、鎂靶Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鈷靶Co、鐵靶Fe、鍺靶Ge、鉿靶Hf、鉛靶Pb、鎳靶Ni、銀靶Ag、硒靶Se、鈹靶Be、碲靶Te、不銹鋼靶材S.S等……

多元合靶材： 鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr、鎳鋁靶Ni-Al、鎳釩靶Ni-V、鎳鐵靶Ni-Fe、鐵鈷靶Fe-Co、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si、鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等……

陶瓷濺射靶材：ITO靶、單晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化鈦靶TiO2、氧化鋯靶ZrO2、二硼化鈦靶TiB2、氧化鎂靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二釔靶Y2O3、五氧化二釩靶V2O5、氧化鋅靶ZnO、硫化鋅靶ZnS、硫化鉬靶MoS、硫化鎢靶WS、氧化鋅鋁靶ZAO、氧化鋁靶Al2O3、鈦酸鍶靶SrTiO3、五氧化二鉭靶Ta2O5、五氧化二鈮靶Nb2O5、氧化鋅鎵靶ZGO、氧化鋅硼靶ZBO、砷化鎵靶GaAs，磷化鎵靶GaP，硒化鋅靶、錳酸鋰靶、鎳鈷酸鋰靶、鉭酸鋰靶，鈮酸鋰靶、等… 

稀土屬靶：鑭靶、鈰靶、鐠靶、釹靶、釤靶、銪靶、釓靶、鋱靶、鏑靶、鈥靶、鉺靶、銩靶、鐿靶、镥靶、釔靶等… 

稀土氧化物靶：氧化鑭靶、氧化鈰靶、氧化鐠靶、氧化釤靶、氧化銪靶、氧化釹靶、氧化釓靶、氧化鋱靶、氧化鏑靶、氧化鈥靶、氧化鉺靶、氧化銩靶、氧化鐿靶、氧化镥靶 

屬膜阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu濺射靶材：

屬膜阻器用靶材括阻系列（ZYG）、中阻系列（ZYZ）和低阻系列（ZYC）、超低阻系列（ZYCD）。

2．純光學(xué)鍍膜材料（99.99％——99.999％）

氧化物：一氧化硅、二氧化硅、一氧化鈦、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、二氧化鈰、二鈦酸鐠、三氧化鎢、五氧化二鉭、五氧化二鈮、三氧化二鈧、三氧化二鋁、三氧化二銦、氧化鐿、氧化鋅、氧化鎂、氧化釓、氧化釤、氧化釹、氧化鈣、氧化鐠、氧化鉍、氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鐵、氧化釩等… 

氟化物：氟化鎂、氟化鈣、氟化釹、氟化鑭、氟化鐿、氟化釔、氟化鉺、氟化T18919837845(不是聯(lián)系方式)釤、氟化鏑、氟化鈰、氟化鋇、氟化鍶、氟化鉀、氟化鈉等… 

硫化物：硫化鋅、硫化鉬、硫化鈣、硫化銻、硫化鐵、硫化鈉等…

溫下不應(yīng)與蒸資料生化學(xué)反應(yīng)。溫下某些蒸源材料，3化學(xué)能穩(wěn)定。與蒸資料之間會(huì)產(chǎn)生反應(yīng)及擴(kuò)散而形成化合物和合。特別是形成低共熔點(diǎn)合蒸源容易燒斷。例如在溫時(shí)鉭和會(huì)形成合形成揮的氧化物如鋁、鐵、鎳、鈷也會(huì)與鎢、鉬、鉭等蒸源資料形成合。鎢還能與水或氧生反應(yīng)。應(yīng)選擇不會(huì)與鍍膜資料生反應(yīng)或形成合的材WOWO2或WO3；鉬也能與水或氧反應(yīng)而形成揮MoO3等。因此。料做該材料的蒸源材料。

作為蒸源的資料必需備熔點(diǎn)、揮低、溫冷卻后脆等質(zhì)。常用的線狀蒸源應(yīng)能與蒸屬熔點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于待鍍屬的蒸溫度，相潤濕。不與待鍍屬生反應(yīng)生成合

【原創(chuàng)內(nèi)容】
第二步與{dy}步類似用酒精清潔；第三步用去離子水清洗。在用去離子水清洗過后再將靶材放置在烘箱中以100攝氏度烘干30分鐘。氧化物及陶瓷靶材的清洗建潔用“無絨布”進(jìn)hq體(氬氣或氧氣)必須清潔并干燥，濺鍍腔內(nèi)裝入基材后便需將空氣抽出，達(dá)到工藝所要求的真空度。暗區(qū)屏蔽罩，腔體壁及鄰近表面也需要保持潔凈。在清洗真空腔體時(shí)我們建議采化合物覆蓋面積加的速率得不到抑制，濺射溝將進(jìn)一步被化合物覆蓋，當(dāng)濺射靶被化合物全部覆蓋的時(shí)候，靶wq中一、背靶材料無氧銅(OFC)–目前最常使用的作背靶的材料需要進(jìn)行溫帖合的條件下，無氧化銅容易被氧化和生翹曲,所以會(huì)使用屬鉬為背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些屬靶材的熱膨脹系數(shù)無法與無氧銅匹配，同樣也需要使用要確保在靶材和濺射槍冷卻壁之間建立很好的導(dǎo)熱連接。如果用冷卻壁的翹曲程度嚴(yán)重或背板翹曲嚴(yán)重會(huì)造成靶材安裝時(shí)生裂或彎曲，背靶到靶材的導(dǎo)熱能就會(huì)受到很大的影響，用玻璃球拋丸法處理有污垢的部件同時(shí)用壓縮空氣qc腔體四周前期濺射剩余物，再用氧化鋁浸漬過的紙輕輕的對表面進(jìn)行拋光。紗紙拋光后,再用酒精，和去離子水清洗，同用。靶材進(jìn)行預(yù)濺射時(shí)建議慢慢加大濺射功率，陶瓷類靶材的功率加大速率建議為1.5W時(shí)/平方厘米。屬類靶材的預(yù)濺射速度可以比陶瓷靶材塊，一個(gè)合理的功率加大速率為第二步與{dy}步類似用酒精清潔；第三步用去離子水清洗。在用去離子水清洗過后再將靶材放置在烘箱中以100攝氏度烘干30分鐘。氧化物及陶瓷靶材的清洗建潔用“無絨布”進(jìn)行